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IRFZ34E
1200
1000
800
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
Ciss
0V,   f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
20
15
I D = 17 A
V DS = 48V
V DS = 30V
600
C oss
10
400
5
200
Crss
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
5
10
15
SEE FIGURE 13
20     25
30
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
100
10us
T J = 150 ° C
10
100us
10
T J = 25 C
1
°
1ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4         1.8
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
10ms
100
1000
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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